AI 浪潮下，芯片设备的新机会

近日，荷兰半导体量测公司 Nearfield Instruments 完成 3.8 亿美元 D 轮融资，投后估值升至 16 亿美元，富达、淡马锡、卡塔尔投资局、华登国际等参与投资。这家公司不做光刻，也不做传统刻蚀、沉积或封装，而是聚焦 High-NA EUV、GAA、CFET、混合键合等下一代制造场景的计量与过程控制。这笔融资背后的产业逻辑清晰可辨：AI 芯片需求正在重塑半导体设备业的格局，传统巨头割据的成熟赛道正在涌现新机会。

芯片加速 3D 化，沉积与刻蚀比光刻更吃紧

SEMI《300 毫米晶圆厂展望》预测，全球 300mm 晶圆厂设备支出 2026 年将增长 18% 至 1330 亿美元，2027 年增至 1510 亿美元，2029 年进一步攀升至 1720 亿美元。增长主要由 AI 芯片、先进节点、区域化制造与存储投资拉动。

未来增量并非源于单纯扩产，而来自芯片底层结构与工艺路线的重构。在 2026 年 VLSI 大会上，三条主线已经非常清晰：

逻辑架构演进：三星展示 3D Stacked FETs（CFET 早期形态，gate pitch 42nm）；英特尔推出 45nm gate pitch 的 CFET inverter，结合 PowerVia 与背面直接接触；台积电发布 A16（埃米级）CMOS，相较 N2P 工艺速度提升 8%–10%、密度提升 8%–10%，量产时间锁定 2026 年第四季度。
存储走向 3D：铠侠与闪迪提出超过 1000 层 3D NAND 路线图；三星展示 16 层垂直堆叠 DRAM，引入 GAA cell transistor 与 Peri-on-Cell 架构；SK 海力士推出 4F² Vertical Gate DRAM；英特尔、力积电等联合展示 8 层堆叠 3D 高带宽 DRAM，带宽密度约 0.25 Tb/s/mm²。
设备需求重构：随着 NAND、逻辑、DRAM 与先进封装全面 3D 化，沉积和刻蚀强度显著上升。应用材料推出增强型 Centura Prime Epi（外延）、Opta Quad CMP（混合键合抛光）、Nokota VMax 2（铜电镀）、PECVD（超薄 DRAM die 翘曲控制）以及 VeritySEM 7AP、SEMVision G7AP（亚 10nm 量测）等系列设备；泛林集团（Lam Research）发布 Cryo 3.0 低温刻蚀，面向 3D NAND 向 1000 层演进所需的高深宽比刻蚀。

CoPoS 面板级封装：设备厂商的重新洗牌窗口

面板级先进封装 CoPoS 以更大尺寸矩形玻璃面板取代传统圆形硅晶圆，单片基板的产出效率较 12 英寸晶圆提升 5–6 倍。台积电董事长魏哲家于 2026 年 4 月财报会上首次官方提及这一蓝图，公司也已申请「TSMC-COPOS」商标。

据悉，台积电 CoPoS 试产线已低调启动，首批设备搬入子公司采钰龙潭厂。日本佳能、DISCO、TEL、SCREEN、泛林集团等设备巨头正在六大核心工艺领域展开卡位。其中，泛林集团凭借 SABRE 3D FP 电镀设备和 Quaros FP 蚀刻机，在 CoPoS 试产线上击败了部分原本在封装领域占据优势的传统大厂。玻璃基板带来的易碎、透明、高反射等检测难题，则让台湾本地量测厂商获得了本土化替代机会。

行业人士指出，CoPoS 最快有望 2029 年驶入量产，较此前普遍预期的 2030 年显著提前；2026 年被视为设备与材料的关键验证元年。

光刻胶从湿法走向干法

在 2nm 以下及 High-NA EUV 时代，传统湿法光刻胶因液体表面张力会导致纳米线条成片倒塌，倒逼行业向干法工艺转移。泛林集团推出 Aether 干式光刻胶设备与工艺，采用 CVD 方式「干式生长」光刻胶、等离子体干法显影，并配套 Aether GPX（沉积）、Aether GDX（显影）、Nimbus（底层薄膜）、Gamma、G400（去胶）等组合。2025 年 9 月 15 日，泛林集团与日本 JSR 集团（含 Inpria）达成全面合作、撤销全部专利诉讼，将干法沉积、刻蚀与金属氧化物光刻胶（MOx）深度融合，标志着设备与材料之间的传统边界开始消失。

硅光与 CPO：测试与封装成为新战场

硅光/CPO 量产的难点集中在低成本、高吞吐的光、电、热测试，以及光纤、激光器、PIC、EIC 的稳定集成。泰瑞达、是德科技、FormFactor、Advantest、TEL 等均已推出硅光测试设备，例如泰瑞达 Photon 100、是德 NX5402A、FormFactor TRITON 等。日月光在硅光子学介绍中列出晶圆级凸块、激光芯片键合、2.5D/3D 封装（TSV/FO/CoW）、晶圆级光学探测等关键技术。

混合键合：HBM 堆叠的关键工艺

据路透社报道，Besi 在 2026 年一季度订单同比增长 104.5% 至 2.697 亿欧元，主要由混合键合需求拉动，摩根大通分析师提到已有第二家客户启动 HBM 相关资格认证。应用材料已持有 Besi 9% 股权、成为其最大股东之一，表明应材倾向与 Besi 深度协同而非自研替代。从技术路线看，imec 与奥地利 EVG 已展示 200nm interconnect pitch 的晶圆对晶圆混合键合，并在 300mm 晶圆上实现极高键合精度，为更高互连密度的 HBM 堆叠预留空间。